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onsemi FDD2670
| Artikelnummer: | FDD2670 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 100+ | $1.3402 |
| 500+ | $1.1011 |
| 1000+ | $0.9124 |
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-
onsemi FDD2670 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDD2670.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-252AA Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3.6A, 10V Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 70W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1228 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Ta) Grundproduktnummer FDD267 FDD2670 Einzelheiten PDF [English] FDD2670 PDF - EN.pdf -
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